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            FAQ0100181: 高通平臺AP-DSP通信失敗如何分析?
            2021年07月

            1.確認q6afe.c和驅動中TX及RX的 port id,module id,topo id以及param id配置, port id要與實際使用的I2S對應, module id,topo id以及param id要與ACDB中的配置一致;

            1.png


            2.afe_callback函數patch添加錯誤;

            2..png

            要根據平臺來確定使用V2還是V3 的patch,上圖異常就是誤合入V2 patch引起;

            如下左圖為V3的patch,右圖為V2的patch;

            3.png 7.png


            3.mi2s_dai_config->pdata_mi2s_lines配置異常;

            4.png


            dtsi中參考修改如下:

            5.png

            其中rx-lines和tx-lines的參數配置,要根據原理圖連接確定(如下0-3的定義僅供參考,具體需要查閱平臺手冊):

            6.png

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            FAQ0100182: 高通平臺如何排查數字PA無IV數據返回?
            2021年07月

            1.平臺TX配置問題,Channel 配置和feedback不匹配,num channel配錯或feedback 配錯

            1.png


            若num channel配置同實際PA個數不一致,在平臺machine.c中查找mi2s_tx_cfg,根據實際PA進行配置,單pa,rx及tx設置為1;雙pa,rx及tx設置為2;4 pa,rx及tx設置為4:

            2..png


            若num channel配置同實際PA個數一致,但同feedback配置不一致,檢查kernel log,是否左右聲道feedback均已打開,log及修改方法如下:

            3.png



            2.平臺feedback配置異常。具體參考FAQ0100187:如何排查高通平臺TX PCM open failed


            3.PA端tx寄存器配置異常

             AW882xx:0x07寄存器bit 0配置tx使能

            4.png


            4.ACDB配置問題,TX沒有打開或者沒添加TX模塊。

            5.png


            在ACDB中添加AW的tx module,并使能模塊,具體如下圖:

            6.png



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            FAQ0500239: AW86006設計時,AVDD、DVDD、VM三個電源上電容的地有什么區別嗎?如何連接?
            2021年07月

            AVDD電容地為芯片數字地(DRV_GND),連接到芯片AVSS,建議在芯片遠端連接到DGND;

            IOVDD電容地連接到Sensor地(DGND);

            VM的電容地為芯片的模擬地,連接到芯片PGND,建議單獨走線到模組BTB。

            2.png

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            FAQ0500240: 馬達Hall如何與aw86006連接?
            2021年07月

            以X軸Hall為例連接方式如下:

            霍爾 IN - :連接AW86006芯片HLXBO

            霍爾 IN+連接AW86006芯片AVDD

            霍爾差分信號輸入連接AW86006芯片OPINMX和OPINPX

            詳細連接方式如下圖:

            1.png


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            FAQ0500246: AW86006內部是否有DSP?是否可以修改算法?使用什么語言編譯?
            2021年07月

            AW86006 內部有DSP運算單元,支持用戶使用C語言進行二次開發算法。

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            FAQ0300256: 開爾文法測試電阻原理和操作方法
            2021年07月

            萬用表測試電阻原理:通過施加固定電流,測量電阻兩端電壓,計算得到被測電阻R值。

            對于測量精密電阻,要考慮接觸阻抗和線材的影響,可使用開爾文測試(四線檢測)如下圖。

            測量電阻R時,通過電流源施加取樣電流,再通過電壓測量單元進行測試。

            Rl為測量導線阻抗,和被測電阻R是串聯關系,被測電阻R電流為恒流源輸出電流,電壓測量單元輸入端輸入阻抗較高(MΩ或更高),電壓檢測回路中電流很小, Rl電壓很小,所以測量的電壓就近似等于電阻兩端的實際電壓。

            1.png

            操作方法,以KEYSIGHT 34465A數字萬用表為例:

            1、設置四線檢測模式:shift---Ω4W,切換到四線檢測,量程選Auto也可以選其它對應范圍;

            2.png


            2、按圖示連線,接上被測電阻,讀出電阻值;如下圖中電阻標稱4Ω,測出來值為3.9824Ω。

            3.png



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            FAQ0200257: 背光驅動最亮和最暗時的效率,主要和那些外圍器件有關?
            2021年07月

            1. 最亮時效率,主要和功率電感有關,功率電感DCR越大,消耗在電感上能量越多,效率越低;

              其次,二級管Vf值越高,需要抬升的電壓也越高,效率就越低。

            2. 最暗時效率,主要和二極管寄生電容有關,寄生電容越大,反向電流越大,恢復時間越長,效率越低;

              最亮時總功率較大,寄生電容影響不明顯,最暗時總的功率較小,寄生電容影響比較明顯。

              當二極管外加電壓極性反轉時,其原工作狀態不能在瞬間完全隨之變化,外加電壓從正向偏置變成反向偏置時,二極管中電流由正向變成反向,經過一定時間后反向電流才變得很小。

              這個時間TRR為反向恢復時間,反向電流和反向恢 復時間受二極管的寄生電容影響。

            5.png

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            FAQ0200258: 背光電路中輸入輸出電容的值如何選擇?
            2021年07月

            輸入電容:

               推薦用10uF,耐壓值6.3V以上,低ESR,X5RX7R電容。

               另外,加一個100nF電容與輸入電容并聯,用于抑制高頻噪聲。


            輸出電容:

               推薦用1uF,耐壓值50V,低ESR,X5RX7R電容;

               另外,加一個33pf電容與輸出電容并聯,用于抑制二次諧波。

               輸出電容主要影響升壓電路的環路穩定性, 在選型時注意電容在高壓下有效容值, 在應用中需要保證的電容的有效容值不小于 0.2μF。

               最小有效容值計算,假設電容的ESR為零,則給定紋波所需的最小電容為:

            4.png

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            FAQ0200259: 背光驅動中VIN的電流多大?
            2021年07月

            背光驅動中VIN不過大電流,為控制單元供電,電流 mA級。

            AW99703 VIN=3V~5.5V, VIN電流為 1.6mA左右

              AW9962E VIN=3V~5.5V, VIN電流為 2.0mA左右

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            FAQ0200273: AW3641E flash 電流如何配置?
            2021年07月

            AW3641E可以通過給EN引腳發一線脈沖信號來配置flash模式的電流和time out時間。

            其中,一線脈沖的標準脈沖寬度如圖1所示。

            2.png

                                圖1 EN引腳的一線脈沖波形


            所發的一線脈沖上升沿個數和flash電流及time out時間對應關系如表1所示。

            3.png

                   表1 一線脈沖和flash 電流及time out時間關系

            0 1
            FAQ0200274: AW3641E 的打閃時間如何配置為600ms?
            2021年07月

            AW3641E芯片自帶的time out時間僅有220ms和1.3s兩檔可配,但可以通過主控控制flash拉高的時間來控制打閃時間。

            應用中需要600ms的打閃時間時,先通過EN引腳發一線脈沖信號,將芯片默認的time out時間配置到1.3s,在亮燈動作時,通過控制flash拉高的時間為600ms,來實現600ms的打閃時間。


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            FAQ0200277: AW9968的“面閃”功能是什么?如何使用?
            2021年07月

            1、“面閃”是指在手機前攝拍照中,一種通過增強屏幕亮度,達到前攝補光效果的應用。

            2、如圖1時序框圖所示,AW9968的flash mode支持“面閃”功能。使用時,通過外部拉高strobe引腳,將FB引腳的電壓基準由VFB_BL(200mV×duty)提高到VFB_FL(200mV+800mV×duty),

              從而實現增大背光輸出電流,增強屏幕亮度,達到補光效果。

            3、注意AW9968在flash mode時,內置350ms的time out 的時間,即拉高strobe引腳350ms后,芯片會自動退出flash mode進入torch mode工作。

            1.png

                        圖1 AW9968 Flash mode應用時序圖

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            FAQ0200279: AW20198的Tscan時間和PWM頻率有關系嗎?
            2021年07月

            Tscan時間和PWM頻率近似成反比關系,即PWM頻率越高,Tscan時間越短。

            Tscan解釋:如圖1所示,Tscan時間為刷新一幀(198顆燈的亮度)所需的時間,每一幀需要對11個SW進行掃描,

            每個SW掃描所需的時間包括以下幾個部分:SW引腳和CS引腳的rising時間TSETUP,相間延時時間TDLY,每個CS的輸出時間TPWM,SW引腳和CS引腳的falling時間THOLD,以及相鄰SW掃描口的消鬼影時間TDG。

            3.png

                                                                              圖1 Tscan時間說明


            因此,Tscan可由下式得到:1.jpg1.jpg

            其中,2.jpg

            以PWM頻率為62.5kHz(0.0625Mhz)為例:3.jpg

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            FAQ0200280: AW20108支持PWM調光嗎?
            2021年07月

            AW20108是支持PWM調光功能的。

            AW20108支持三個維度的電流調節,三個維度的電流配置分別對應三個寄存器:GCCR寄存器(page0,0x03)、DIM寄存器(page1,0x00-0x6B)、FADE寄存器(page2,0x00-0x6B)。

            其中,FADE寄存器配置電流是通過PWM的方式來實現的;而GCCR和DIM寄存器是通過DC調光的方式來實現的。


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            FAQ0200281: AW20198如何實現open short檢測功能的?
            2021年07月

            AW20198支持open/short 檢測功能。

            使用open檢測功能時,將寄存器GCR(page 0,0x00)的bit位OSDE[1:0]寫為11,將bit位CHIPEN置1即可打開open檢測功能,通過讀取寄存器OSR(page0,0x03~0x23),為1即對應LED位置是OPEN的。

            同理,使用short檢測功能時,將寄存器GCR(page 0,0x00)的bit位OSDE[1:0]寫為10,將bit位CHIPEN置1即可打開short檢測功能,通過讀取寄存器OSR(page0,0x03~0x23),為1即對應LED位置是SHORT的。


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            FAQ0100282: 如何在可拆機情況下通過頻響曲線判斷無分頻網絡產品立體聲相位問題?
            2021年07月

            1)測量一條當前頻響曲線,麥克風正對產品中心,距離按照不同整機大小權衡,例如如圖手機20CM左右即可;

            2)把左右聲道的任意一個聲道喇叭正負極反接測量頻響曲線,麥克風與整機位置不要移動,測試結果示例如圖;

            3)其中A曲線為相位正確情況下的曲線。應按照測量A曲線時的接法接上喇叭使用。

            1.png    2.jpeg


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            FAQ0700217: 使用AW96103、AW96105時,如何理解分辨率及采樣點數,在應用中應該如何配置?
            2021年06月

            掃描精度(CDCRES_CHx)為ADC分辨率,其大小與數據抖動相關,掃描精度越高,功耗越大,抖動越小。

            在手機SAR SENSOR應用中推薦設置為512,按鍵應用推薦設置為64。

            掃描精度(CDCRES_CHx)對應的寄存器位置為:

            9.png


            掃描精度為16,如下圖所示:

            10.png


            采樣點數(SMPLNUM_CHx)為ADC求平均次數,其配置與芯片功耗和數據穩定性相關,采樣點數越多,功耗越大,數據越穩定。用戶在使用時可根據功耗和數據穩定性要求折中考慮。

            在手機SAR SENSOR應用中推薦設置為4,按鍵應用推薦設置為1。

            采樣點數(SMPLNUM_CHx)對應的寄存器如下:

            11.png


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            FAQ0500242: AW86006芯片內部內存是如何分配的?
            2021年06月

            芯片內采用4Kb boot ROM + 8Kb data SRAM + 40Kb program SRAM + 64Kb Flash

            1. 4Kb boot ROM不可更改,上電自動從boot啟動;

            2. 8Kb data SRAM 用于存放程序運行中產生的臨時數據;

            3. 40Kb program SRAM可以運行程序,需要從Flash中把程序加載到該片區域中;

            4.  Flash 64Kb中:

            1). 40Kb用于存放應用程序;

            2). 4Kb用于存放應用程序中的校準數據;

            3). 20Kb可通過I2C進行訪問存放用戶數據;

            其中2).應用程序中的數據需要根據不同項目進行調整,預留的4Kb可以進行重新分配,

            特殊情況下,2)和3)部分可以進行調整。


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            FAQ0400221: AW12033&AW12024&AW13510產品的NC管腳能接地或VDD嗎?
            2021年06月

            芯片內部懸空,與芯片沒有任何連接,所有在應用電路設計時NC管腳懸空、接地和VDD均可。


            如下圖NC管腳:

            7.png6.png8.png

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            FAQ0400235: 為什么音頻PA工作會對FM效果有影響?如何解決音頻PA干擾FM信號?
            2021年06月

            音頻PA輸出PWM方波,方波的上升沿和下降沿是納秒級別,對FM收音頻段87.5~107.5MHz容易產生干擾。如果在設計過程中沒有注意音頻PA輸出電路和FM信號之間的隔離,那么在收聽FM收音機外放時,就會影響FM傳導靈敏度,從而FM出現雜音現象。

            解決措施:

            1. 空間布局隔離:音頻PA 遠離FM 走線。   

            2. 降低干擾源,硬件解決方案:在音頻PA輸出端預留串位磁珠和并位電容位,構成低通濾波電路。如果回板后測試有干擾,可以嘗試串磁珠(阻抗600Ω以上@100MHz的磁珠)和并電容來解決。

            軟件解決方案:若軟件支持,音頻PA 在播放FM 時可以改為AB類工作模式。

            下圖:黃色波形為加磁珠前/藍色波形為加磁珠后對比,可以看出,加磁珠電容后上升下降沿變緩,可以有效改善音頻對FM的干擾。

            5.png


            3. 空間無法避開的(FPC):通常耳機和喇叭是在小板上,FM接收信號和音頻信號會通過FPC進行傳輸,常見音頻信號會從FPC引入干擾到FM接收電路,所以需要盡量在FPC布局上就要加大兩信號之間的距離并鋪地打地孔隔離。

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