国产疯狂女同互磨高潮在线看

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            FAQ0400236: 在電路中為什么濾高頻選擇容值小,而濾低頻選擇容值大的電容?
            2021年06月

            1、電容在電路中等效電路:

            3.png

            實際的電容由于存在電感效應通常等效成一個電容、一個電感和一個電阻的串并聯形式。

            2、諧振頻率公式:   ,其中與L*C成反比,L*C值越大,越小。

            3、原理:干擾信號的頻率越靠近電容的自諧振頻率,干擾信號越容易被電容徹底過濾掉。

            容值大的電容通常具有較大的等效電感,因此L*C值大,小,所以比較適合用于濾除低頻干擾噪聲;

            容值小的電容通常等效電感也較小,因此L*C值小,大,所以適合用于濾除高頻干擾噪聲。

             

            電容 阻抗-頻率特性圖:

            4.png


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            FAQ0500243: AW86006 VCM馬達驅動芯片輸出管腳OUT1~6怎么接馬達正負?
            2021年06月

            芯片是H橋輸出,正負在固件內部都兼容,但是馬達有方向,

            建議OUT1、OUT3、OUT5接馬達正,OUT2、OUT4、OUT6接馬達負。

            2.png

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            FAQ0500245: AW86006的AVDD和VM能不能共用一個電源?
            2021年06月

            AVDD和VM不建議共用一個電源,

            AVDD為芯片數字供電,VM為馬達供電,電流較大,VM抽電流會對AVDD有影響。

            1.png

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            FAQ0100230: 做回聲消除時,如何獲取PA回傳信號?硬件上如何連接?
            2021年06月

            1、對于數字功放,可以直接用DATAO信號做回聲消除。

            2、對于模擬功放(或數字功放用VON/VOP做回采),需要外加濾波電路。

            VON/VOP輸出是PWM信號,若直接接到回采電路,高頻諧波過大,無法滿足語音算法要求,故需要做濾波處理,處理方式如下:

            RC濾波:

            先經過隔直電容,再經過多路RC電路(級數越多,濾波效果越好),然后做分壓處理(MIC采樣電壓范圍有要求)。

            LC濾波:

            LC濾波和RC濾波原理類似,但是LC濾波是二階濾波,效果更好,但是電感成本也相對較高。

            1.png


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            FAQ0200248: AW3641E配置flash的電流和time out時間時需要拉高FLASH引腳嗎?
            2021年06月

            AW3641E配置flash電流和time out時間時不需要拉高FLASH引腳,通過給EN引腳發一線脈沖來配置flash模式的電流和time out時間。

            只有當芯片需要以FLASH模式進行亮燈工作時才需要拉高flash引腳。


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            FAQ0100178: AW87390的ADP模式,會因為沒有buffer導致信號失真嗎?
            2021年06月

            AW87390采用一步升壓模式,實時監測,默認啟動升壓功率為0.3W,在不升壓模式時VDD也遠大于0.3W,

            當檢測輸出信號大于0.3W時,信號從0.3W上升到升壓的電平所需的時間大于升壓電路所需時間,因此不會因為來不及升壓造成信號失真。

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            FAQ0700214: AW96103、AW96105的檢測通道和參考通道應該怎么走線?
            2021年06月

            如下圖所示:

            1、 檢測與參考走線上下左右包GND,推薦檢測與參考走線到GND的間距 d1≥三倍線寬。

            2、 推薦檢測通道和參考通道走夾層、走差分線,線寬d2 = 0.1mm。

            3、 檢測通道和參考通道之間不需隔GND,推薦線距d3≥兩倍線寬。

            2.png

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            FAQ0700215: 未靠近天線時,AW96103、AW96105讀到的rawdata抖動嚴重應該如何排查?
            2021年06月

            ? 檢查檢測通道與射頻信號之間是否有隔直電容,并確認該電容加了下地電感,如下圖中C3、L3;

            ? 檢查射頻天線上是否有TUENR, 如果有,確保有隔直電容和下地電感;

            ? 檢查VDD電源是否穩定;

            ? 檢查AFE配置是否合理;

            ? 分段斷開天線到IC的線路,排查干擾來源。

            1.png


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            FAQ0700216: AW96103、AW96105在什么應用中需要增加參考(溫補)通道?
            2021年06月

            1、平板/手機 SarSensor應用;

              對芯片靈敏度要求較高,通常閾值設置較低,為避免由于溫度變化引起的寄生電容變化導致sensor誤觸發,加入參考通道抵消溫度影響。

            2、佩戴檢測應用;

              Sensor大部分時間為觸發狀態,sensor觸發時基線是凍結的無法跟蹤溫漂,此時需使用參考通道。

              注:觸控應用不需要使用參考通道,由于觸控應用大部分時間為釋放狀態,基線算法會跟蹤溫漂。且觸控應用通常閾值設置較大,溫漂對觸控應用的影響可以忽略。


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            FAQ0100167: 如何通過ADB讀取整機中AW881XX_SmartPA當前寄存器的值?
            2021年06月

            通過ADB讀取整機中AW881XX_SmartPA當前寄存器值的步驟如下:

            ① adb root

            ② adb remount

            ③ adb shell

            ④ cd /sys/bus/i2c/drivers/ ——進入艾為smartpa節點文件目錄

            ⑤ cd aw881xx_smartpa ——進入到對應的驅動位置

            ⑥ ls ——打開當前文件夾,查看PA寄存器的地址

            ⑦ cd 4-0034 ——找到PA當前的地址,例:地址為4-0034,進入到當前地址

            ⑧ 整機播放音樂

            ⑨ cat reg ——讀取當前PA配置寄存器

            ⑩ cat dsp ——讀取當前DSP配置寄存器

            可參考如下操作:

            1.png

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            FAQ0100171: AW881XX_SmartPa,整機電信號THD+N測試不過如何解決?失真較大如何解決?
            2021年06月

            AW881xx 測試1KHz-0dB信號的THD+N失真過大時,可按照以下步驟進行排查:

            1.關閉PA的dsp,dsp中的導頻信號會導致失真測試不過;

            關閉方法如下:

            (1) 使用adb命令實時修改PA寄存器值:

            adb root

            adb remount

            adb shell

            cd /sys/bus/i2c/drivers/aw881xx_smartpa/X-00XX ——進入到PA當前的地址,例如:

            4-0034,4為I2C總線地址,0034為芯片I2C地址

            注:因為要關閉PA的dsp,測試時有燒喇叭的風險,所以在關閉dsp前需要先打開PA的AGC

            保護,AGC閾值設置為喇叭的額定功率,也可以降低整機音量后再關閉dsp;

            先播放音樂,再輸入如下指令

            echo 0x09 3B42 > reg ——設置AGC保護閾值為1W@8ohm

            echo 0x0d 011b > reg ——打開AGC保護開關

            echo 0x04 6444 > reg ——bypass dsp開關使能

            (2) 使用UI配置dsp bypass,AGC=1W的參數,push進整機,push路徑為vendor/firmware,重啟生效后驗證測試;

            (3)  使用UI adb在線連接配置dsp bypass,AGC=1W的參數,寫入整機測試驗證;

            注:如需使用(2)(3)方法,請聯系我司FAE提供參數。

            2.關閉dsp后失真測試還是不過,可以斷開磁珠,從靠近PA端飛線,排除磁珠以及后端通路影響,再進行測試;

            3.這時候大部分已經可以測試過了。如果失真測試結果還是偏大,這時需要分析平臺端信號,可以抓取平臺端輸出信號log或通過飛線測試i2S的信號質量。

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            FAQ0300139: AW3215A 和 AW3216 的 STAT 引腳一般怎么使用?
            2021年06月

            1. STAT引腳一般接LED的陰極用來指示充電,正常充電時,輸出低電平,LED指示燈亮;充電完成后,輸出高阻態,LED指示燈滅;

              Charger發生異常情況如VBUS OVP、VINMIN、VBAT OVP、NTC故障時,充電會停止,同時STAT輸出高阻態,LED指示燈滅;

              LED推薦通過1K/4.7K/10K電阻連接到VBUS。

            2. 也可連接至主控GPIO,當充電完成時通過STAT通知系統充電完成。

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            FAQ0100154: 如何檢查AW88194的monitor功能是否開啟?
            2021年06月

            1.cmd命令進入adb

            2.adb root

            3.adb remount

            4.adb shell

            5.cat /dev/kmsg | grep aw881

            播放音樂,暫停,獲取如下信息

            1.png

            紅色框status和switch都為1,表示monitor功能正常 。

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            FAQ0100172: 如何在整機中實時修改PA寄存器值?
            2021年06月

            整機中實時修改PA寄存器值的步驟如下:

            1. adb root

            2. adb remount

            3. adb shell

            4. cd /sys/bus/i2c/drivers/ ——進入艾為smartpa節點文件目錄

            5. cd aw8xxxx_pa ——進入到對應PA的驅動位置,例:aw88xxx_smartpa或aw873xx_pa

            6. ls ——打開當前文件夾,查看PA寄存器的地址

            7. cd 4-0034 ——找到到PA當前的地址,例:地址為4-0034,4為I2C總線地址,0034為芯片I2C地址,進入到當前地址

            8. 整機播放音樂

            9. cat reg ——讀取當前PA配置寄存器

            10. echo 0x01 0x07 > reg ——寫入要修改的寄存器值到對應的寄存器,0x01表示要寫入的寄存器地址,0x07表示要寫入該寄存器的值,此命令指:向0x01寄存器寫入0x07的值

            11. cat reg ——寫入后,再查看是否寫入成功

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            FAQ0300173: AW32207 或 AW32257 的 0x06 寄存器為什么寫不進去?
            2021年06月

            0x06寄存器是AW32207和AW32257的安全寄存器,芯片上電后,需要第一時間寫該寄存器(可以連續寫多次)。

            其他寄存器執行了寫操作后,0x06寄存器將不能再被寫,直到芯片重新上電(軟復位也無效)。

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            FAQ0300194: 在 CV 階段,充電電流已經小于充電截止電流了,但 AW32207 或 AW32257 仍沒有停止充電是什么原因?
            2021年06月

            AW32207和AW32257默認充電電流達到充電截止電流后充電不終止,只有將REG01[bit3]置1后充電電流達到充電終止電流后充電才會終止。

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            FAQ0700198: 如何設計SAR sensor與手機共享天線?
            2021年06月

            image.png

            圖1: 手機天線(地饋、主饋、Tuner)                      圖2:Sar Sensor共享手機天線

            共享天線注意事項,如圖2。

            1、L1 用大感值電感(默認100nH),作用隔離RF信號(天線工作在600MHZ左右建議L1=220nH);

            2、C1/C2/C3作用是天線隔直,天線總電容< 220pF(總電容=C1+C2+C3+寄生電容),建議C1+C2+C3 <150pF,推薦C1/C2/C3用33PF;

            *注:不用C1/C2/C3電容隔直,Sar Sensor不能工作。

            3、L2 作用是消除RF信號線在RX/TX 切換時候對C2寄生電容的影響,同理L3為消除tuner切換時候對C3寄生電容的影響。L2/L3 可以根據匹配需求取值(只要是電感對Sar Sensor都沒有影響);

            *注:不用L2/L3電感,可能造成Sar Sensor不能工作。


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            FAQ0300199: AW329XX或者AW339XX是否可以配置OVP閾值?
            2021年06月

            OVP閾值可以通過片外電阻R1和R2來配置,其計算公式為2.png ,其中VOVLO_TH=1.2V, 另外對于R1、R2阻值建議滿足1.2MΩ>R1+R2>500KΩ。

            比如當想OVP閾值設置到6V,即6=(R1+R2)/R2*1.2=(1+R1/R2)*1.2,也就是R1/R2=4,可選R1=680KΩ,R2=170KΩ,當然其他能滿足配比的組合也是可以的。

            0.png










             


            1.png

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            FAQ0600133: TVS管基本參數解釋
            2021年06月

            TVS具有極快的響應時間和較高的浪涌吸收能力,當它的兩端經受瞬間的高能量沖擊時,TVS能以極快的速度把兩端間的阻抗值由高阻抗變為低阻抗,以吸收一個瞬間大電流,從而把TVS兩端電壓鉗位在一個預定的數值上,從而保護后面的電路元件不受瞬態高壓尖峰脈沖的沖擊。TVS管基本參數如下:

            參數

            定義

            備注

            VRWM

            Peak Reverse Working Voltage
              (最大反向工作電壓)

            Vrwm表示在規定的IR 下,TVS兩端的電壓值稱為最大反向工作電壓。通常Vrwm=(0.8~0.9)Vbr,在這個電壓下,器件的功耗消耗很小,使用時應使Vrwm 大于被保護器件或線路的正常工作電壓。一般Vrwm 會低于85%Vc 而高于正常工作電壓,以便TVS 接入電路而不影響正常電路工作

            IR

            Reverse Leakage Current
              (最大反向漏電流)

            VBR

            Breakdown Voltage
              (反向擊穿電壓)

            TVS管通過規定的測試電流IT(通常1mA)時的電壓,這是表示TVS 管導通的標志電壓,即從此點開始器件進入雪崩擊穿

            Vc

            Clamping voltage @Ipp
              (最大鉗位電壓)

            Vc鉗位電壓指在特定的Ipp 電流時,脈沖電壓通過ESD 保護器件后所被箝位的電壓,使用時必須小于芯片的最大承受電壓

            Ppp

            Maximum Peak Pulse Power
              (最大峰值脈沖功率)

            在IEC61000-4-5規范下,可承受的最大峰值功率和在鉗位電壓下的最大可承受電流

            Ipp

            Maximum Reverse Peak Pulse Current
              (最大反向峰值電流)


            參數

            定義

            備注

            IF

            Forward Current
              (正向最大承受電流)

            單向TVS管需要注意,表現為二極管特性,在IF下二極管的壓降為VF。

            VF

            Forward Voltage @ IF
              (正向壓差)

            CJ

            Junction Capacitance
              (結電容)

            TVS的寄生電容,在高速端口使用時要特別注意,CJ過可能會影響信號的質量。

            選型的過程可以按照以下步驟進行:

            1. 選擇TVS最高工作電壓Vrmw: Vrwm應大于或等于被保護電路的最大工作電壓,若選用的VRWM太低,器件可能進入雪崩或因反向漏電流太大影響電路的正常工作;

            2. 選擇TVS鉗位電壓VC: VC應小于被保護電路的損壞電壓;

            3. 選擇TVS的功率: 在規定的脈沖持續時間內,TVS的最大峰值脈沖功耗Ppp必須大于被保護電路內可能出現的峰值脈沖功率,在確定了最大鉗位電壓后,其峰值脈沖電流應大于瞬態浪涌電流;

            4. 評估漏電流Ir的影響: 正常工作條件下的漏電流,需要評估對電路的影響;

            5. 評估結電容Cj的影響:對于數據接口電路的保護,還必須注意選取具有合適電容C的TVS器件;

            6. TVS結構選擇:直流電路可選擇單向TVS,交流電路選用雙極性TVS較為合理,多線保護選用TVS陣列更為有利。


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            FAQ0100155: 模擬功放RST復位的時候有什么時序要求嗎? 類似復位脈寬要求?
            2021年06月

            AW87xxx的RST開機上電復位時序是先拉低復位再拉高工作。

            通常高低脈寬需要維持至少2ms。


            2.png

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