<output id="bxxdv"></output>
選擇射頻開關常見指標如下圖 :
1、什么是P0.1dB指標：通常指開關可以承受的最大峰值功率， 注：不是平均功率， CMW500，8960等儀器測試值通常是平均功率。
2、開關的P0.1dB指標 > 設計經過開關的最大峰值功率
手機各種制式峰值評估參考如下, 注鏈路插損需要根據實際項目LAYOUT評估。
制式 | 調制方式 | 常規功率 | 動態上限 | PAPR | 峰值功率 | 鏈路插損 | 開關最大峰值 |
(dBm) | (dB) | (dB) | (dBm) | (dB) | (dBm) | ||
GSM | GMSK | 33 | 2 | 0 | 35 | 0.5 | 35.5 |
WCDMA | QPSK/16QAM/64QAM | 23 | 2.7 | 5.8~6.5 | 32.2 | 0.5 | 32.7 |
LTE | QPSK/16QAM/64QAM | 23 | 2.7 | 6.7 | 32. 4 | 0.5 | 32.9 |
NR | BPSK/QPSK/16QAM/64QAM/256QAM | 23 | 3 | 6.7-8.4 | 34.4 | 0.5 | 34.9 |
HPUE | - | 26 | 3 | 6.7-8.4 | 37.4 | 0.5 | 37.9 |
3、其它請參考規格書的：applications 范圍。
讀取AW881xx整機喇叭的溫度曲線的步驟如下：
① adb root
② adb remount
③ adb shell
④ cd /sys/bus/i2c/drivers/ ——進入艾為smartpa節點文件目錄
⑤ cd aw881xx_smartpa ——進入到對應的驅動位置
⑥ ls ——打開當前文件夾，查看PA寄存器的地址
⑦ 讀取PA當前的地址，例：地址為6-0034，讀取到當前地址
⑧ 整機播放音樂
⑨ 執行如下命令
while true;do cat /sys/bus/i2c/drivers/aw881xx_smartpa/6-0034/reg|grep "0x46=";sleep 1;done
⑩ 音樂播放結束后，將讀到的值粘貼到.txt文檔中，使用工具Notepad++打開該文檔，選中寄存器的值，使用Alt+Z快捷鍵方式，只復制寄存器值到excel表格中，使用轉換函數（HEX2DEC）將16進制轉換成10進制數，然后將轉換的十進制數生成曲線，即得到喇叭的溫度曲線。為保證獲取到的溫度值較為準確，在讀取前需要先進行校準。
這取決于手套的厚度、材質、以及AW93001配置的靈敏度。
AWINIC公司測試了AW93001的靈敏度調節電容為10pF時，佩戴2 mm厚度的棉質手套觸摸，AW93001可以正常識別觸摸。
RXN：狀態輸出引腳，開漏級輸出，內部通過60KΩ電阻上拉至1.8V，通常連接RXN至無線充電芯片的ENN腳，可以用來控制無線充電芯片的開啟和關閉；
芯片觸發過溫保護（TSD），RXN為高；
芯片使能（ENN=0）且VIN有效（2.83V < VIN < 28V），RXN為高；
芯片使能（ENN=0）且VOUT有效（2.8V < VOUT < 20V），當OTG使能 (FLAGN=0) 后，VIN電壓達到VOUT電壓時，RXN為高；
其余情況RXN為低。
FLAGN：有輸入和輸出功能，內部通過120KΩ電阻上拉至1.8V；
作為輸入功能是OTG模式控制口：在自動模式下（ENN=0），當VOUT有效（2.8V < VOUT < 20V），且VIN無效時（Vin<2.83V），將FLAGN引腳拉低，可進入OTG模式；
作為輸出功能是Vin有效標志位輸出：開漏級輸出，當芯片使能（ENN=0），VIN有效時（2.83V < VIN < 28V），FLAGN輸出低電平；當VOUT有效（2.8V < VOUT < 20V），且VIN無效時（Vin<2.83V），40us去抖時間后，FLAGN輸出高電平。
1、AB類模式是直通模式，無升壓，PVDD=VABT；FM模式為AB類+升壓，PVDD=6.3V；
2、AB類模式的效率比FM模式的效率高，但是由于不升壓的原因，輸出功率比FM模式低；
3、AB類模式和FM模式都是模擬輸出，而D類、K類輸出的PWM信號會產生EMI干擾，當使用D類或K類有射頻干擾（FM音質差）時，可嘗試切換到PA的AB類模式或者FM模式.
可以用萬用表交流檔測試PA播放單頻音的輸出功率，測試方法：
1.播放1Khz單頻音
2.萬用表打到交流電壓檔
,萬用表的表筆接到喇叭兩端
3.萬用表顯示值就是PA輸出電壓的均方根值VO_RMS
PA輸出功率計算：
,
喇叭的負載阻抗
例如：萬用表顯示值是2.83VRMS, 喇叭的阻抗是8Ω，輸出功率
注：用萬用表測量只能測到PA輸出的電壓值，無法測到PA輸出信號波形的失真和頻率。精確測量PA輸出功率需要通過示波器或者AP測量。
按照如下方式進行測試
1.從手機上IIS的WCK、BCK、DATAO、DATAI以及GND飛線出來，并做好標記；
2. 使用數字測試線（AUDIO PRECISION CAB-BPSI-2P CII 104156）VGA接口，接在AP的Digital Serial I/O的INPUT的RECEIVER上；
3.數字測試線杜邦線端對應接法如下：
數字杜邦線端口 | 手機飛線接口 |
Frame | WCK |
Bit CLOCK | BCK |
DATA1 | DATAO |
DATA1_GND | GND |
4. 接線完成，IIS格式的AP輸入設置參考如下（位寬設置需與測試信號一致）
5.如被測設備采用TDM格式，AP輸入設置參考如下（位寬設置需與測試信號一致）
6. 手機設備開始播放后，Frame CLK Rate將會顯示出手機設置采樣率即為連接正確
7.開始測試
8.如需要測試PA輸出，數字線接AP Digital Serial I/O OUTPUT的TRASMITTER上，AP采用output通路，Clocks設置為內部時鐘即可；
兩顆芯片，封裝完全一致，但引腳定義和控制邏輯不同。
如下圖: 芯片引腳定義和頂視圖（Pin Configuration And Top Mark）
AW13112 控制邏輯
AW13102 控制邏輯
天線開關（Tuner）和普通射頻開關(RF Switch)用法不同，天線開關使用在天線通路上，普通射頻開關(RF Switch)使用在射頻信號通路上。天線開關講究的是小電阻（Ron）和盡量小(Coff)寄生電容，目的是盡量減少對Q值的惡化，影響天線性能。
PCB Layout擺件和走線注意事項：
1. RF signal器件靠近端口擺放，相鄰的RF1/2/3/4端器件,建議垂直擺件，走線盡量短，為了避免RF signal trace和地之間形成電容，RF signal trace下面所有層需凈空。
2. RF signal trace不要換層，以免阻抗不連續產生反射和增大插損。
3.去耦電容盡量靠近VDD，V1，EN等pin腳擺放,直接打孔到主地。
4.芯片內部回流路徑要盡量短，在TOP層將芯片GND pin連在一起，直接打孔到主地，盡量有足夠的地孔保證地的連接，芯片下面盡量不要走線。
5.芯片周圍嚴禁有孤立地，周圍盡量多打些通孔。
如下圖：SP4T的擺件走線
以下說明以AW15045 LNA為例
1.原理圖設計：LNA輸入端需串聯L1=20nH，輸出需串L2=12nH,并C2=5.6pF，初始BOM可以按照推薦的值，最終BOM，以實際調試的最佳值的匹配為準。
Datasheet應用圖如下所示：
2.PCB擺件：LNA的輸入和輸出匹配均需要以PCB最小間距靠近LNA放置。
注：AW15045和AW15145&AW15245的原理圖設計&PCB擺件相同；不同點是推薦的匹配值不同，另外AW15045和AW15145是1107封裝且pin to pin；AW15245是1109封裝。
Triple-Level Triple-Rate AGC可以消除音樂雜音，提升音樂動態聽感，增大音量，同時有效保護喇叭。
AGC1在檢測輸出削波后在極短時間內防止輸出削波，抑制削波雜音，1.5ms完成最多10dB壓縮；AGC2提升音樂動態范圍，增益衰減3.5dB；AGC3保證工作在額定功率內，以0.5dB進行壓縮和釋放，釋放閾值比壓縮閾值低1dB。
用AP測量PA輸入、輸出的底噪數據，判斷異常位置。
數字域不產生噪聲，主要由模擬域產生，包括DAC，PGA，Audio PA等
Noise_BB與輸入信號會一起被放大Av倍；響度大，需要Av大，噪聲也會變大。
PA輸出底噪 = 
常見問題為：
1、單端輸入信號（沒有走偽差分信號）處理不夠理想，引入干擾導致底噪大。
解決辦法：單端輸入時，PA輸入的接地端連接到平臺參考地，然后與平臺音頻輸出信號一起走偽差分接到PA。
2、平臺輸出的底噪較大（>10uVrms）。
解決辦法：減小PA的放大倍數，同時為了不降低整體響度，提升平臺增益來增大平臺輸出信號幅度（平臺輸出底噪保持不變）。從而在PA輸出信號幅度不變的情況下，降低了系統底噪。
PA out = 平臺輸出信號 
* PA 放大倍數
單向TVS用在單向信號傳輸中，雙向TVS用在需要傳輸雙向信號的線路中，TVS的選用和所保護的有用信號的特性相關。
OVP（內部有TVS管，器件有負浪涌能力），可以配合雙向TVS管使用，過正負浪涌測試標準； OVP（內部無TVS管，器件沒有負浪涌能力），必須配合單向TVS管使用，過正負浪涌測試標準；信號有正負，必須配合雙向TVS管使用。
浪涌測試采用IEC61000-4-5規范，測試波形以8/20μs測試，8/20us 是雷擊浪涌的一種波形，上升前沿在8us，峰值電流下降在1/2處保持在20us。浪涌測試通常是內阻2歐姆的一個短路電流波形，即充電1KV輸出500A左右的電流波形，或者500A左右的反向電流可以耐1KV的浪涌?？梢酝ㄟ^以下方法選擇合適的TVS管：
1.確定電路系統需要滿足的最大浪涌電壓；
2.根據后級芯片的最大承受電壓，選擇TVS管鉗位電壓VC，VC必須小于芯片的最大承受電壓；
3.根據8/20μs測試模型，計算在VC下的最高反向電流Ipeak =（浪涌沖擊電壓 – VC）/ 2；
4.計算TVS的最大反向功率Ppp=VC*Ipeak；
如系統需要過300V的浪涌測試，系統工作電壓20V，選擇AW32905 OVP（內置120V浪涌防護），則外部需增加TVS管，所選擇的TVS管需要滿足如下要求：TVS的Vrwm需要大于20V，VC需要小于29V，假定VC為25V，最高反向電流Ipeak=（300V-25V）/ 2=137.5A，最大反向功率Ppp=25V*137.5A≈3.4KW。
選擇TVS時，最大反向工作電壓Vrwm需要大于電路系統的正常工作電壓，VC必須小于芯片的最大DC耐壓，艾為OVP通常有浪涌防護，見下表：
懸空。
AW99703支持三路背光，實際使用中，有可能只用到二路，那么另外一路懸空即可；
AW99703有短路開路檢測，懸空的這一路需要disable，具體修改參考如下列表；
目前艾為音頻PA型號的尾綴有CSR、LCSR、ACSR、FCR、QNR。
其中CSR、LCSR、ACSR帶-CS的尾綴是CSP封裝（表面為裸晶圓，一般都有錫球），
FCR帶-FC尾綴的是FCQFN封裝（表面塑封材料）,
QNR帶-QN尾綴的是QFN（表面塑封材料）。
圖一 CSP封裝的側視圖與底視圖 圖二 FCQFN封裝的側視圖與底視圖 圖三 QFN封裝的側視圖與底視圖
AW88261和AW88265相比之前Smart PA多了VLDO管腳，VLDO電源來自DVDD，無需外部供電，此電壓給內部數字電路供電，不可給其它外部電源模塊使用；
VLDO電壓輸出1.5V，范圍±0.1V，使用時需要外接1uf電容。
接法如下：
1、二極管D1可以隔離反向過來的浪涌或者高電壓，需要注意二極管的過流能力大于工作時的最大電流并且預留至少20%余量，且PCB需要注意散熱，IC下方多打地孔到主地且盡量保持地的完整便于散熱。
2、R1/R2用來設定二極管后端電壓，這樣可以彌補二極管帶來的壓降損失。
可以將LED1和LED2并一起。內部電流源架構，由于1個通道的電流能力是有限的，只有一個LED燈時，為了加強驅動能力，LED1/LED2是可以并一起的。
需要注意的是，對應的電流配置時需要配置成ILED1=ILED2，且對應的電流值要配成目標電流的一半。比如你要達到1A時，只需要將ILED配成500mA。
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